一、多热源工业合成SiC技术（论文文献综述）
邓丽荣,王晓刚,陆树河,樊子民,王嘉博,王行博,裴志辉[1]（2020）在《多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉》文中进行了进一步梳理采用多热源真空合成法,以纯度分别为99%（质量分数,以下同）、90. 87%的微米级硅质原料、碳质材料,在自行研制的多热源炉内合成高纯、高密度、大粒径的3C-SiC微粉。实验研究碳硅物质的量比、原料粒度以及反应温度对合成产物的影响。结果表明:碳与硅物质的量比为1. 05∶1时,合成的3C-SiC微粉SiC的纯度达到99. 99%;与硅质原料相比,碳质原料粒度对产物粒度影响更为显着,增加碳质原料的粒度,可获得粒度更大、晶型更完整的3C-SiC微粉,微粉的平均粒径D50可达21. 7μm;在1 300～1 800℃内,温度越高,产物晶型愈完整,粒径更大,结构更致密,平均密度可达3. 212 g/cm3。
王晓刚,陈杰[2]（2013）在《多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究》文中研究说明通过对碳化硅冶炼炉内温度场的数值模拟,研究了单热源炉与多热源炉温度梯度的分布与演变规律,并采用X衍射对多热源与单热源合成炉中不同部位的合成产品的物相进行了对比分析。研究表明,多热源合成炉内温度场均匀性更好;适合碳化硅生长的高温区域,多热源法要大于Acheson单热源法;多热源合成炉内无高温聚集区,生产更平稳、更安全。
陈杰[3]（2011）在《多热源多向流体系碳化硅材料制备理论及应用》文中研究表明碳化硅（SiC ）具有的高密度、高纯度、高结晶性、高均匀性,广泛应用于冶金、石油、化工、航空航天、机械、微电子等行业。中国是全球碳化硅产品的第一生产大国和出口大国,然而能耗高、物耗高、产量低、品质差、生产不安全一直是制约我国碳化硅产业高速发展的主要问题,提高碳化硅合成热效率,降低产品能耗,生产出高品位、高附加值的碳化硅产品是碳化硅制备亟待解决的技术难题。论文在国家自然科学基金（51074123、50174046）和陕西省教育厅专项科研基金（08JK347、05JK254）的资助下,通过数值模拟及实验,系统地研究了多热源多向流体系制备SiC新技术节能、提质、增产、降耗的关键理论与方法,实践表明,采用多热源多向流合成技术,单炉产量提高48.1%,特、一级品率提高30%,节能10%以上,并且杜绝生产中频繁喷炉等不安全事故的发生。论文研究不仅为SiC合成技术提供理论和方法学上的指导,对于提升西部地区矿产资源开发与加工的技术含量有着极其重要的意义。通过对碳化硅合成过程的传热学分析,建立了多热源多向流体系合成碳化硅温度场的数学模型,提出了SiC合成炉温度场属于平面有内热源变物性非稳态导热,炉体边界属给定温度边界,热源边界属于常热流通量边界条件。根据化学反应程度及常用反应配比,通过线性分段拟和、线性插值、加权处理等方法,以温度作为控制条件,确定了不同温度条件下等效物质的热物性参数。基于有限单元法求解瞬态温度场的原理分析,建立了优化的有限元模型,研究了多热源合成SiC合成炉温度场的演变规律。研究发现,随着合成时间的延长,高温等温面逐渐向外扩展,适合生成SiC的温区面积逐渐增大,但是过长的合成时间不但增加能耗,而且会导致SiC产品产率降低,应控制合理的反应时间,使SiC适量分解,可以合成大量的高致密SiC产品;随着表面负荷增大,热源温度逐渐增加,各温区等温线逐渐向外移动,使得高温区（18002600℃）面积逐渐增大。功率过高,会导致热源温度过高,从而导致热源周围已生成的SiC大量分解,从而降低产品的产量而增加产品的能耗。基于数值模拟和实验,揭示了多热源体系内多方向能量流及物质流的传递与扩散动力学机理。研究表明,多热源合成中能否合成高致密碳化硅主要取决于Si蒸汽、SiO、SiO2、Si2C、SiC2等气相物质的扩散速率;碳化硅合成过程中气相物质的物理气相沉积作用,是导致多热源合成碳化硅晶体高纯化、高致密化以及高结晶性的根本原因;多热源之间的热场叠加和热源屏蔽是多热源炉节能、增产、降耗的本质原因。基于供电参数及炉体参数对温度场的影响,建立了给定功率条件下的多热源合成炉热源数目的判定模型。通过青海通海碳化硅厂工业试验,表明判定模型能够较好的预测多热源合成SiC最优选的热源数目。该判定模型为本理论的工业实际应用提供了关键设计参数的科学判据。通过多热源合成实验,系统研究了合成时间、表面负荷等合成参数对合成产品的影响规律,采用X射线衍射分析以及扫描电镜分析了合成产品的物相及微观结构并与单热源合成产品进行了对比。研究表明,多热源合成碳化硅的提质、节能、降耗关键在于多热源多向流体系均化了温度场,生成SiC的高温区面积增大,热效率得到提高,降低了能耗,提高SiC产量和质量。碳化硅制备工业试验与数值模拟和实验结果具有较好的一致性,验证了提出的温度场演变规律以及多方向能量流及物质流扩散动力学机理。总体上,本文建立了多热源多向流体系制备碳化硅材料的理论体系,建立了最佳发热源数目判定模型,获得了多热源多向流体系合成SiC新技术优化有益传热和传质的途径,为提高SiC产品的产量和质量,降低产品能耗和安全生产提供理论指导。
李勇刚[4]（2011）在《高温电加热过程模拟与优化的研究》文中提出随着新材料工业的发展,工业电加热设备应用越来越广泛。严格控制产品质量、降低生产能耗、保障生产安全是工业电加热设备技术进步的不懈追求。本文以过程系统工程理论为指导,采用有限元方法对高温电阻炉加热过程进行了较系统的数学模拟和工艺优化研究,以期为高温电加热过程的发展有所裨益。论文评述了过程系统工程、有限元法以及艾奇逊式电阻炉的特点及发展。介绍了开源有限元模拟分析软件FEPG;讨论了高温电阻炉的进展,重点分析了碳化硅合成炉和石墨化炉在炉型改进、工艺提高和模拟优化方面的国内外研究动态。在分析电阻炉加热过程中所存在问题的基础上,提出了本文的研究方向。通过对艾奇逊式电阻炉的炉型分析,应用虚功原理,建立了高温电阻炉在二维动态非线性传热有限元模型;同时,对反应过程产生气体的情况进行了分析,建立了二维传热-渗流耦合的有限元模型;结合炉体和部件的应力和形变情况,又建立了三维的传热-形变-应力耦合的有限元模型。因为炉料由多种颗粒组成,采用混合模型将其简化为分层拟均相模型,并采用修正的热逾渗理论模型进行描述。通过对直通电石墨化炉的有限元计算,并与现有文献比较,结果表明:本文所建立的传热有限元模型和多种颗粒组成炉料的有效导热系数的计算方法是有效的。采用建立的传热有限元模型,对一有效宽高为2.1m×1.9m、炉芯宽高为0.35m×0.6m、单位体积炉芯负荷8.5×105W/m3的艾奇逊炉碳化硅生产过程进行了模拟和分析:（1）具体分析了炉内动态的温度场分布、不同时刻炉料水平线上温度梯度变化、热流密度变化情况,系统的考察了炉内产品产量和单位产品能耗随生产进行的变化趋势。结果表明产品产量随时间线性增长,单位产品能耗呈现从高到低,然后平稳,最后上升的变化趋势。考察炉芯表面温度可知其与产品能耗密切相关。能耗较低的平稳阶段对应于从炉芯表面温度上出现了2600℃温度点,到全部表面温度均超过2600℃。这意味着该阶段是炉芯热效率最高的阶段。炉芯表面完全达到碳化硅分解温度的时刻,正是能耗较低产量较高的时刻,因此也是生产停炉的最佳时刻。对温度梯度和热流密度进行分析,发现温度梯度最大的阶段出现在合成碳化硅的温度区域内,而且随着时间增长炉表面散热的热流密度也增长。（2）喷炉问题是碳化硅炉生产中迄今仍没有完全解决的问题。本文应用传热-渗流耦合的有限元模型,分别系统地考察了正常生产条件、增大炉芯功率和增加密度导致渗流系数变小三种条件下,炉底气体压力和炉表气体流量变化。发现了喷炉的具体原因:1)炉料配置不合理,导致气体渗流系数变小。2)功率过高,导致化学反应过快造成炉产生的气体不能及时渗透出去。（3）石墨电极在碳化硅或石墨化炉生产过程中,部分在炉体外部,部分与炉内高温物料接触,并且自身也会通电发热。为考察电极在这种情况下是否发生损坏,应用传热-形变-应力耦合的有限元模型进行过程分析。具体考察了电极内部和外部的温度分布、电极的整体形变和电极的主应力分布的情况。结果显示:凸出炉体外部电极表面温度不超过90℃,不会发生氧化反应导致的损耗;电极整体温差小于20℃,不会因为热应力和体积力作用导致电极发生形变。因此电极在正常生产条件下不会发生损坏现象。为进一步加强电极保护,根据计算结果提出了电极保护涂层的厚度的工艺方案。为解决现有艾奇逊碳化硅炉生产能耗高、有喷炉安全隐患的问题。本文以系统过程工程理论为指导,应用传热-渗流耦合有限元模型,对有效宽高2.3m×2.1m、炉芯宽高0.4m×0.6m、单位体积炉芯负荷8.8×105W/m3的碳化硅炉型生产过程进行模拟。作者将生产过程分为三个阶段:1)生产前期,热能主要用于炉体预热、碳化硅合成尚未开始或反应微弱,该过程应尽快完成以减少散热损失。2)生产中期,炉料开始反应到炉芯表面局部达到2600℃,该阶段应尽快完成,但要注意避免发生喷炉。3)生产后期,从炉芯表面局部达到到全部超过2600℃的阶段,该阶段应在保证碳化硅继续生产的同时控制碳化硅的分解和炉表的散热。在对三个阶段分析基础上,以喷炉压力为主要限制条件,建立以能耗最小化为目标函数的优化模型和简化的优化策略,获得了优化的功率曲线。计算结果表明应用优化的功率曲线可避免喷炉发生;选择不同的停炉时间,可分别获得能耗降低约8%且产量增加3%和增产约12%且能耗降低约5%的两种较优的结果。现有文献表明,石墨化炉和碳化硅炉由于炉料预热和炉表散热,单炉热效率仅为50%左右,热损失巨大。在对两炉有限元分析的基础上,提出了直通电石墨化炉联产碳化的新工艺,以上述单位体积炉芯负荷为8.5×105W/m3的炉型为例。研究表明:扣除石墨生产耗能后,生产碳化硅的能耗为原碳化硅炉的50%,产量为54-68%;此外联产炉还减少了总的废气排放;为解决现有炉型保温效果不佳、通气性差容易发生喷炉、产品品质不高、能耗高和粉尘污染等问题,本文提出了一种增强保温的并联式、全透气的生产碳化硅的新炉型。对该炉型不仅增强了保温效果,而且还彻底解决了喷炉问题,使生产中产生的气体不仅及时的排放出去而且还为炉体的保温做了贡献,新炉型还可配合气体收集装置将气体汇总处理减少了环境污染,该炉型可以由现有炉型经简单改造而成,改造后能耗降低达15-17%,节能效果显着。
陈杰,王晓刚[5]（2010）在《多热源合成SiC温度场的变化规律研究》文中研究指明通过对多热源合成碳化硅温度场的数值模拟,研究了碳化硅冶炼过程中的温度变化规律,揭示了多热源合成SiC节能增产的机理。研究表明,由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,使高温区域热能扩散和物质扩散动力更强,高温区分布更宽,炉内温场相对更均匀,导致多热源合成SiC技术具有明显的节能、降耗、提质、增产的特点,生产更安全。
强军锋,王晓刚,杨金成,田欣伟,邓军平,樊子民,任建勋,彭龙贵,余竹焕[6]（2009）在《SiC产业多联产关键技术及其应用与Matrix区域的变化》文中研究表明针对我国SiC产业的技术现状和面临的形势,提出用多热源生产SiC新技术生产高性能SiC新材料,回收并利用其副产品CO为主的气体生产多种化工产品或发电,走资源综合利用的煤-SiC新材料-CO气-化工产品（电）多联产之路,彻底改变行业落后现状,实现可持续发展.
李成峰[7]（2009）在《料层厚度对多热源SiC合成炉内CO温度变化的影响》文中研究表明利用自行设计的CO气体收集装置研究了料层厚度对多热源SiC合成炉内CO温度变化的影响。结果表明,在供电功率、供电时间、炉芯尺寸、炉芯数目等实验参数均相同的条件下,炉内CO温度随供电时间呈现近线性增大的变化趋势,料层越厚,距料层表面同位置处CO温度越低,CO温度的最大值、平均值、梯度值、温度增长速率越小。
陈杰,王晓刚[8]（2009）在《多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析》文中指出通过对多热源合成SiC冶炼炉的传热学分析,确定了冶炼炉温度场的边界条件,建立了冶炼炉温度场的动态数学模型,采用有限单元法对温度场进行了数值分析.以工业试验为基础,对碳化硅冶炼炉温度场进行了数值求解,数值模拟得到最佳供电时间为6672 h,工业试验为6075 h,结果与工业试验吻合.该方法可进一步确定工业生产中的供电参数、炉体参数及物料配比,为工业生产提供理论指导.
陈杰,王晓刚[9]（2008）在《多热源合成SiC热源数目判定模型》文中认为多热源合成SiC冶炼炉炉体尺寸大,一次性生产原材料消耗大,用实验手段难以预测给定条件下的热源数目等参数。通过对冶炼炉温度场的数学分析及数值模拟,以合成SiC温区断面面积比率最大为原则,提出了多热源合成SiC热源数目的判定模型,给出了实例,并通过工业实例对模型进行了验证。热源数目的预测,可以为SiC工业生产提供理论指导。
陈杰,王晓刚,郭继华[10]（2006）在《多热源合成SiC冶炼炉温度场的动态数值模拟》文中研究表明根据多热源工业生产S iC冶炼炉温度场具有平面非稳态导热的特点,建立了冶炼炉内温度变化的动态数学模型,采用数值计算方法,动态模拟了炉料的升温合成反应及传热过程,获得了冶炼炉内温度分布及其动态变化规律,得到了四热源炉合成S iC的供电时间为60h左右,这一结果应用工业试验进行了验证。应用同样方法,可以获得表面负荷、炉芯尺寸等工艺参数,可以为工业生产S iC提供理论指导。
二、多热源工业合成SiC技术（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、多热源工业合成SiC技术（论文提纲范文）
（1）多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 实验方法 |
| 1.2 表征与测试 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 碳与硅物质的量比对3C-SiC晶体纯度的影响 |
| 2.2 原料粒度对产物粒度的影响 |
| 2.3 反应温度对产物的影响 |
| 2.4 合成产物的物相分析和密度测试 |
| 3 结论 |
（2）多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 制备 |
| 1.2 表征 |
| 1.3 数学模型 |
| 2 结果及讨论 |
| 3 结论 |
（3）多热源多向流体系碳化硅材料制备理论及应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 前言 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.2 碳化硅材料及其应用 |
| 1.2.1 碳化硅材料概述 |
| 1.2.2 碳化硅的晶体结构与性能 |
| 1.2.3 碳化硅材料的应用 |
| 1.3 碳化硅材料制备方法的研究现状及发展趋势 |
| 1.3.1 固相反应合成碳化硅粉体 |
| 1.3.2 液相反应合成碳化硅粉体 |
| 1.3.3 气相反应合成碳化硅粉体 |
| 1.4 工业制备碳化硅的研究现状 |
| 1.4.1 国外研究动态 |
| 1.4.2 国内研究现状及发展 |
| 1.5 研究内容 |
| 1.6 研究方法 |
| 1.7 技术路线 |
| 2 多热源合成碳化硅温度场数学模型及数值计算 |
| 2.1 合成炉的传热学模型 |
| 2.1.1 碳化硅合成炉内传热学分析 |
| 2.1.2 简化与假设 |
| 2.1.3 单热源合成碳化硅温度场的传热学模型 |
| 2.1.4 多热源合成碳化硅温度场的传热学模型 |
| 2.2 单值性条件的确定 |
| 2.2.1 几何条件 |
| 2.2.2 物理条件 |
| 2.2.3 时间条件 |
| 2.2.4 边界条件 |
| 2.3 碳化硅合成炉温度场数学模型以及数值计算 |
| 2.3.1 单热源合成碳化硅温度场的数学模型 |
| 2.3.2 多热源合成碳化硅温度场的数学模型 |
| 2.3.3 多热源合成碳化硅温度场的数值计算原理 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 多热源多向流体系制备碳化硅材料的温度场演变规律研究 |
| 3.1 单热源合成炉温度场的演变规律研究 |
| 3.1.1 不同合成时间温度场的演变规律 |
| 3.1.2 不同表面负荷温度场的演变规律 |
| 3.2 多热源合成炉温度场演变规律研究 |
| 3.2.1 温度场随合成时间的演变规律 |
| 3.2.2 温度场随热源表面负荷的演变规律 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 多热源多方向能量流及物质流扩散动力学研究 |
| 4.1 多热源合成碳化硅多方向能量流扩散机理 |
| 4.2 多热源合成碳化硅多方向物质流扩散动力学研究 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 多热源合成炉热源数目的判定模型 |
| 5.1 热源数目判定模型 |
| 5.2 热源数目判定及工业实例 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 多热源多向流体系合成碳化硅实验研究 |
| 6.1 测温实验 |
| 6.2 单热源合成碳化硅实验研究 |
| 6.3 多热源合成碳化硅实验研究 |
| 6.4 多热源合成碳化硅工业试验 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 结论 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 主要创新点 |
| 7.3 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（4）高温电加热过程模拟与优化的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 文献综述 |
| 1.1 过程系统工程 |
| 1.2 有限元法 |
| 1.2.1 有限元法发展和特点 |
| 1.2.2 有限元软件FEPG |
| 1.3 工业电炉 |
| 1.3.1 高温电阻炉研究动态 |
| 1.3.2 艾奇逊式电阻炉工艺改进与模拟优化科研动态 |
| 1.3.2.1 碳化硅电阻炉科研动态 |
| 1.3.2.2 石墨化电阻炉科研动态 |
| 1.3.3 电阻炉模拟与优化过程中存在的问题 |
| 1.4 碳化硅与石墨 |
| 1.4.1 碳化硅生产情况 |
| 1.4.2 石墨生产情况 |
| 1.4.3 碳化硅与石墨生产分析 |
| 1.5 本文的研究内容 |
| 第二章 高温电阻炉有限元模型 |
| 2.1 2D 有限元传热模型的建立 |
| 2.1.1 高温电阻炉传热过程分析 |
| 2.1.2 模型的简化与假设 |
| 2.1.3 动态传热的有限元模型 |
| 2.2 碳化硅炉传热-渗流耦合的有限元模型 |
| 2.2.1 渗流过程分析 |
| 2.2.2 模型的简化与假设 |
| 2.2.4 传热-渗流的有限元模型 |
| 2.3 3D 传热-变形-应力耦合的有限元模型 |
| 2.3.1 过程分析 |
| 2.3.2 问题简化与假设 |
| 2.3.3 3D 动态热固耦合有限元模型的建立 |
| 2.3.3.1 3D 动态传热有限元模型 |
| 2.3.3.2 3D 形变的有限元模型 |
| 2.3.3.3 根据位移求应力场 |
| 2.3.3.4 模型的求解 |
| 2.4 电阻炉炉料物性参数与边界传热系数 |
| 2.4.1 有效导热系数 |
| 2.4.1.1 多孔物质的导热系数计算方法 |
| 2.4.1.2 热逾渗计算模型 |
| 2.4.1.3 多层复合材料导热系数计算公式 |
| 2.4.1.4 碳化硅合成料有效导热系数 |
| 2.4.2 多种颗粒组成炉料的有效热容 |
| 2.4.3 对流和辐射传热边界系数 |
| 2.4.4 渗流计算中释放气体体积的处理 |
| 2.5 高温电阻炉——直通电石墨化炉的模拟算例 |
| 2.5.1 直通电石墨化炉的分析 |
| 2.5.2 几何模型与网格的划分 |
| 2.5.3 物性参数和边界条件的确定 |
| 2.5.4 数值模拟计算的结果与分析 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 艾奇逊式碳化硅合成炉加热过程的模拟与分析 |
| 3.1 二维传热过程的模拟 |
| 3.1.1 碳化硅合成炉几何模型的建立与网格划分 |
| 3.1.2 边界条件的确定与计算 |
| 3.1.3 碳化硅合成炉的模拟结果与分析 |
| 3.1.3.1 供电时间与温度场 |
| 3.1.3.2 温度梯度 |
| 3.1.3.3 炉内热流密度的变化 |
| 3.2 碳化硅炉二维传热-渗流耦合有限元模拟 |
| 3.2.1 边界条件的确定 |
| 3.2.2 模拟结果与分析 |
| 3.3 3D 热固耦合的分析 |
| 3.3.1 炉体结构的具体分析 |
| 3.3.2 碳化硅合成炉几何模型的建立与网格划分 |
| 3.3.3 边界条件和物性参数的确定 |
| 3.3.4 热固耦合的计算结果与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 艾奇逊碳化硅合成炉功率曲线优化 |
| 4.1 碳化硅炉功率和生产过程分段分析 |
| 4.2 2D 传热-渗流耦合的有限元模型和几何模型 |
| 4.3 功率曲线优化模型和策略 |
| 4.3.1 优化模型 |
| 4.3.2 优化策略 |
| 4.4 数值模拟算例和分析 |
| 4.4.1 有限元的模拟计算 |
| 4.5 优化结果 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 石墨联产碳化硅新工艺和碳化硅新炉型 |
| 5.1 直通电石墨化炉联产碳化硅数值模拟 |
| 5.1.1 数值模拟与分析 |
| 5.1.2 模拟结果及讨论 |
| 5.2 新碳化硅炉型的设计 |
| 5.2.1 炉型在结构上的比较 |
| 5.2.2 新炉型的提出 |
| 5.2.3 有限元模型的应用和几何模型的建立 |
| 5.2.4 有限元的模拟结果与分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
（5）多热源合成SiC温度场的变化规律研究（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 实 验 |
| 3 多热源合成SiC冶炼炉温度场的数学模型 |
| 4 数值模拟结果及讨论 |
| 5 多热源炉的节能与增产效果对比 |
| 6 结 论 |
（6）SiC产业多联产关键技术及其应用与Matrix区域的变化（论文提纲范文）
| 1 煤-四高SiC新材料-CO-化工产品 (电) 多联产技术 |
| 1.1 多热源生产SiC新技术 |
| 1.1.1 多热源生产四高SiC新材料技术 |
| 1.1.2 多热源生产SiC微粉与晶须新技术 |
| 1.2 CO气体收集技术 |
| 1.3 气体利用技术 |
| 1.3.1 SiC生产中所产CO气体的特点 |
| 1.3.2 CO气体的利用 |
| 1.3.3 CO气体的分离净化 |
| 2 多联产的经济效益 |
| 2.1 煤-四高SiC新材料-CO-电多联产经济效益 |
| 2.2 煤-四高SiC新材料-CO-醋酸多联产经济效益 |
| 3 结论及意义 |
（7）料层厚度对多热源SiC合成炉内CO温度变化的影响（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 实 验 |
| 1.1 实验原料 |
| 1.2 实验设备 |
| 1.3 实验过程 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 CO温度的变化 |
| 2.2 CO温度最大值的变化 |
| 2.3 CO温度梯度的变化 |
| 2.4 CO温度平均增长速率的变化 |
| 3 结 论 |
（8）多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析（论文提纲范文）
| 1 工业合成SiC冶炼炉内的传热学分析 |
| 2 多热源合成炉温度场的数学模型 |
| 2.1 导热微分方程 |
| 2.2 定解条件 |
| 3 温度场的数值计算 |
| 3.1 计算区域的网格化分 |
| 3.2 方程离散 |
| 4 多热源合成SiC温度场的数值模拟与工业试验 |
| 5 结 语 |
（9）多热源合成SiC热源数目判定模型（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 多热源合成SiC冶炼炉温度场的数学模型 |
| 2 热源数目判定方法 |
| 3 热源数目判定举例 |
| 3.1 炉长L为20 m |
| 3.2 L=15 m及L=25 m |
四、多热源工业合成SiC技术（论文参考文献）
- [1]多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉[J]. 邓丽荣,王晓刚,陆树河,樊子民,王嘉博,王行博,裴志辉. 中国粉体技术, 2020(02)
- [2]多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究[J]. 王晓刚,陈杰. 矿冶工程, 2013(06)
- [3]多热源多向流体系碳化硅材料制备理论及应用[D]. 陈杰. 西安科技大学, 2011(01)
- [4]高温电加热过程模拟与优化的研究[D]. 李勇刚. 中国海洋大学, 2011(02)
- [5]多热源合成SiC温度场的变化规律研究[J]. 陈杰,王晓刚. 硅酸盐通报, 2010(05)
- [6]SiC产业多联产关键技术及其应用与Matrix区域的变化[J]. 强军锋,王晓刚,杨金成,田欣伟,邓军平,樊子民,任建勋,彭龙贵,余竹焕. 材料科学与工艺, 2009(02)
- [7]料层厚度对多热源SiC合成炉内CO温度变化的影响[J]. 李成峰. 西安科技大学学报, 2009(02)
- [8]多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析[J]. 陈杰,王晓刚. 煤炭学报, 2009(02)
- [9]多热源合成SiC热源数目判定模型[J]. 陈杰,王晓刚. 西安科技大学学报, 2008(02)
- [10]多热源合成SiC冶炼炉温度场的动态数值模拟[J]. 陈杰,王晓刚,郭继华. 金刚石与磨料磨具工程, 2006(04)